Tema: Corriente de célula fotovoltaica

Hola buenas,

Estoy intentando calcular la corriente de una célula fotovoltaica. Se que ésta es la resultante de la corriente fotogenerada menos la del diodo y la de la resistencia en paralelo...

Pero me sale un resultado negativo... Alguien que haya este cálculo o sepa de donde sacar más info???

Gracias

Qué expresión usas, la de una exponencial y 5 parámetros?, expón tus valores (parámetros del módulo) y el resultado que obtienes, para a averiguar de donde viene el error.

Un saludo.

Hola Wenner,

La expresión que utilizo es la de:

Ic=IL-Io(e(Voc/(n*vt))-1)-(Voc/Rsh)

Tengo los datos referentes a la celula fotovoltaica, respecto a área, densidad de corriente, tensión en vacio, factor de temperatura (ajsc), coeficientes de gap, factor de idealidad (n) y energia de gap....

No se donde me estoy equivocando... la cosa es que la corriente del segundo elemento de la ecuación me sale 40 veces superior a la IL..... si necesitas valores te los paso...

gracias

Yo empleo la expresión:

Ic=IL-Io(e(Voc/(n*vt))-1)-((V+I*Rs)/Rsh)

Que difiere ligeramente de la que indicas, una vez que obtengo los parámetros, Rs, Rsh, etc. resuelvo la ecuación por iteraciones.

Indica las carácterísticas del módulo y el valor que tienes de Ic a ver si se puede localizar el error.

vale por lo que veo se diferencia en la I*Rs... pero una pregunta... Es que yo considero que si calculo para tensión a circuito abierto la I=0 y por lo tanto I*Rs=0...

Te adjunto el código en matlab:
%% Parametros de la celula
clear all
A=156.25; %Área de la célula cm2
jsc=2.82e-2; %Densidad de corriente de cotocircuito
Isc=jsc*A; %Intensidad de cortocircuito
Rs=1.05e-2; %Resistencia en serie
Rsh=1e4; %Resistencia en paralelo
Voc=5.7e-1; %Tensión en vacio de la célula
G=xlsread('DATOS.xls','D326'); %Datos de irradiancia de 24 horas (W/cm2)
t=xlsread('DATOS.xls','B3:B26'); %24 horas
ajsc=3e-5; %factor de temperatura (A/ºC*cm2)
T= input('¿Temperatura de trabajo?(25-65)'); %temperatura de trabajo
k=1.38e-23; %constante de boltzman
q=1.6e-19; %carga del electron
Tk=T+273; %temperatura de trabajo ºK
vt=(k*Tk)/q %Tensión térmica (V)
Ego=1.16; %Energía de gap (eV)
agap=7e-14; %coeficiente de gap (eV/ºK)
bgap=1.1e3; %coeficiente de gap (ºK)
Eg=Ego-((agap*Tk^2)/(bgap+Tk)) %Energia gap del semiconductor
n=1.18; %Factor de idealidad
vti=(k*300)/q %Tensión térmica a 300ºK (V)
Egi=Ego-((agap*300^2)/(bgap+300)) %Energia gap del semiconductor a 300ºK

%% Resultados de IL y I0

IL=A*((jsc*G/1000)+(ajsc*(T-27)))
Io=(jsc*A*(Tk^3)*exp(-Eg/vt))/(((exp(Voc/(n*vti)))-1)*300^3*exp(-Egi/vti))

%% Resultados Ic (intensidad de cada celula)

Ic=IL-(Io*(-1+exp(Voc/(n*vt))))-(Voc/Rsh)

Espero que se entienda...

Veo que lo que pretendes calcular es la intensidad de una célula no del módulo, esto es diferente a lo que planteaba. No tengo claro si podrías emplear las condiciones de circuito abierto I=0 y V=Voc, ya que según la expresión I también sería 0.

No sé donde tienes el error, si es que lo tienes.

Si lo solucionas cuéntanos donde estaba el problema.

Saludos.